全球首只純內(nèi)存芯片ETF橫空出世

時間:2026-04-13

來源:電子技術(shù)應(yīng)用

導(dǎo)語:4月7日消息,隨著AI熱潮席卷全球,市場對于人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的關(guān)注點(diǎn)正悄然從GPU轉(zhuǎn)向一個更為根本的瓶頸——存儲。

  4月7日消息,隨著AI熱潮席卷全球,市場對于人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的關(guān)注點(diǎn)正悄然從GPU轉(zhuǎn)向一個更為根本的瓶頸——存儲。在內(nèi)存芯片市場備受關(guān)注之際,全球一只直接押注全球內(nèi)存芯片賽道的ETF也應(yīng)運(yùn)而生。

  上周四(4月2日),由Roundhil推出的內(nèi)存芯片ETF——Roundhill Memory ETF(代碼為“DRAM”)正式上市美股,被定位為市場上首款“純內(nèi)存ETF”。

  周一這只ETF收報29.16美元,漲1.40美元或5.04%。

  作為當(dāng)前市場上首個專注于投資內(nèi)存芯片的ETF,DRAM ETF反映出當(dāng)前內(nèi)存市場的熱度已經(jīng)足夠火爆。但是,也有不少投資者擔(dān)憂,這只ETF可能會成為標(biāo)志著存儲市場已經(jīng)過熱,或許會成為警示多頭的“反向賣出指標(biāo)”。

  首款專注內(nèi)存股的ETF登陸美股市場

  根據(jù)公告信息,DRAM ETF是一款主動管理型ETF,費(fèi)率為0.65%,投資于一系列內(nèi)存和存儲產(chǎn)品制造商,目前僅持有九只股票。只有50%以上收入來自HBM、DRAM、NAND的芯片公司才能被納入。

  該ETF主要重押全球三大DRAM巨頭:美光科技(24.99%)、三星電子(24.22%)、SK海力士(23.83%),三者合計權(quán)重超七成。

  其投資組合還納入了閃迪、日本鎧俠、西部電子、希捷、以及中國臺灣的南亞科和華邦電等內(nèi)存大廠。

  相較于傳統(tǒng)半導(dǎo)體ETF(涵蓋設(shè)計、設(shè)備、晶圓代工的廣泛配置),DRAM這只ETF更強(qiáng)調(diào)專注于投資存儲芯片相關(guān)企業(yè),直接押注AI時代最關(guān)鍵的資料儲存與頻寬需求。

  對于美國本土的投資人而言,既使SK海力士即將在美上市,但是其他一些內(nèi)存股重要標(biāo)的,例如三星電子,在海外上市,很難被其他ETF所羅列,投資渠道較有限。

  市場人士指出,DRAM ETF的誕生,實際上具有重要象征意義——它不應(yīng)僅僅被視為“又一只半導(dǎo)體主題ETF”,而真正重要的是,它標(biāo)志著資本市場首次將“內(nèi)存芯片”從更廣泛的半導(dǎo)體領(lǐng)域中剝離出來,創(chuàng)造了一個可以直接交易、推廣和定價的獨(dú)立主題。

  任何主題,一旦被命名、包裝并上市交易,就完成了從工業(yè)邏輯到金融邏輯的飛躍。DRAM ETF的誕生正是這一轉(zhuǎn)變的標(biāo)志。

  標(biāo)志市場過熱的“反向指標(biāo)”?

  然而,任何被市場廣泛認(rèn)可的敘事,一旦進(jìn)入ETF階段,就必須面對一個令人不安的問題:現(xiàn)在是不是已經(jīng)過熱了?

  一些機(jī)構(gòu)根據(jù)歷史經(jīng)驗認(rèn)為,當(dāng)一個細(xì)分行業(yè)變得足夠熱門、以至于催生出專門的ETF時,這通常表明該行業(yè)的熱度已經(jīng)進(jìn)入了相對后期的階段。

  BTIG首席市場技術(shù)分析師喬納森·克林斯基就是這一觀點(diǎn)的支持者。他指出,新推出的DRAM ETF可能正預(yù)示著存儲周期即將達(dá)到頂峰。

  克林斯基指出,過去一年,高盛科技、媒體和電信(TMT)存儲指數(shù)已經(jīng)上漲了350%,并在今年2月份達(dá)到了400%以上的漲幅峰值。而DRAM ETF直到現(xiàn)在才推出,這是一個明顯的“反向賣出信號”。

  “如果歷史可以作為參考,那么現(xiàn)在正是你應(yīng)該出售那些被人們記住的名字的時候,”克林斯基直言。

  克林斯基列舉了過去幾年內(nèi)的幾只專注于熱門主題的ETF——這些ETF都“以極其精準(zhǔn)的方式發(fā)揮了反向指標(biāo)的作用”。

  比如,Roundhill Meme Stock ETF(股票代碼:MEME)于2021年12月推出,追蹤瑞銀的MEME股票指數(shù)。該ETF在2023年11月關(guān)閉前,累計跌幅超過70%。

  另一個舉例則來自VanEck Vectors煤炭ETF,該ETF于2008年1月推出,并主要追蹤道瓊斯煤炭指數(shù)作為代表。而該ETF在2020年12月關(guān)閉前承受了巨大跌幅,但道瓊斯煤炭指數(shù)自該ETF關(guān)閉之后,卻出現(xiàn)了大幅上漲。

  此外類似的例子還有很多,比如2021年10月比特幣期貨ETF推出后,已累計下跌超過77%等等。

  在這些“前車之鑒”下,克林斯基不得不懷疑,DRAM ETF可能也會走上類似的道路,標(biāo)志著內(nèi)存市場“正處于這輪拋物線式上漲的最后階段”。

  他特別指出,DRAM ETF最為重倉的股票——美光科技——當(dāng)前的股價已經(jīng)看起來“高得驚人”,其近期交易價格已比200日移動平均線高出150%以上,這是“歷史上最大的價差,超過了科技泡沫時期的任何情況”。而在這一背景下,DRAM ETF很可能也將面臨管理市值大幅回落的風(fēng)險。


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