桿塔接地電阻的測(cè)量方法

分析了利用各自?xún)?yōu)點(diǎn)而改進(jìn)的接地電阻測(cè)量新方法，并提出了幾種處理接地電阻超標(biāo)值的方法。

受益于緊湊型晶閘管模塊的可靠耐用的軟起動(dòng)器

軟起動(dòng)器已在工業(yè)中得到廣泛應(yīng)用，市場(chǎng)上也出現(xiàn)了眾多軟起動(dòng)器產(chǎn)品。本文介紹的新Sirius系列軟起動(dòng)器有其特色，可供讀者參考。

漫談電子、電氣設(shè)備中的電磁兼容性問(wèn)題

電磁兼容，顧名思義是“兼容”即“兼顧”／“容忍”，但電磁兼容（E1ectromagnetic Compatibility，簡(jiǎn)寫(xiě)為EMC）并不是指電與...

碳化硅半導(dǎo)體

純硅功率晶體管有著令人羨慕的成績(jī)，然而，對(duì)于高要求的功率開(kāi)關(guān)和控制的應(yīng)用上，它似乎已經(jīng)到達(dá)了它的極限。

利用MATLAB/Simulink圖形環(huán)境和PLECS模塊庫(kù)仿真太陽(yáng)光電（PV...

本文利用MATLAB/Simulink，首次研究了電力系統(tǒng)的仿真。

電力行業(yè)節(jié)能空間及發(fā)展?fàn)顩r淺析

電力行業(yè)節(jié)能空間及發(fā)展?fàn)顩r淺析

汽車(chē)應(yīng)用中的IGBT功率模塊

IGBT的功率和熱循環(huán)、材料選型以及電氣特性等問(wèn)題和故障模式進(jìn)行了探討。

IGBT及單雙向可控硅

絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET

電容器的簡(jiǎn)易檢測(cè)方法

在沒(méi)有特殊儀表儀器的條件下，電容器的好壞和質(zhì)量高低可以用萬(wàn)用表電阻檔進(jìn)行檢測(cè)，并加以判斷

限制并聯(lián)電容器組過(guò)電壓中的一種新方法

相位控制高壓斷路器的組成及對(duì)斷路器的特殊要求和對(duì)控制單元參數(shù)的設(shè)定。