摘 要：介紹了SDRAM的特點和工作原理，提出了一種基于FPGA的SDRAM控制器設(shè)計方法，采用Verilog語言完成的控制器的設(shè)計，可以很方便地對SDRAM進行操作?？刂破髟诖笕萘繑?shù)據(jù)記錄儀擴展緩存得到了很好的應(yīng)用。 關(guān)鍵字：FPGA;SDRAM;Verilog; 1 引 言 　　在進行高速數(shù)據(jù)記錄儀的開發(fā)中，由于硬盤固有的尋道延時，不能實現(xiàn)外部數(shù)據(jù)實時寫入。采用固態(tài)硬盤成本又比較高，所以在設(shè)計中考慮外加大容量數(shù)據(jù)緩存。在各種隨機存儲器件中，SRAM的價格低，設(shè)計簡單，但容量一般都不大;DDR速度快、容量大，但硬件和軟件設(shè)計都比較復(fù)雜。SDRAM具價格低、體積小、速度快、容量大的優(yōu)點，是滿足高速數(shù)據(jù)記錄設(shè)計帶寬的理想器件。但是，與SRAM相比較，SDRAM的控制邏輯復(fù)雜，接口方式與普通的存儲器差異很大。為了解決這個矛盾，需要設(shè)計專用的SDRAM控制器，本文中提出了SDRAM控制器的FPGA設(shè)計，F(xiàn)PGA內(nèi)部采用狀態(tài)機的方式。該設(shè)計采用了Altera公司的CycloneII系列EP2C35F484C8N作為主控芯片。系統(tǒng)工作時鐘為75M。 2 SDRAM工作原理簡介 　　本設(shè)計采用SDRAM芯片選用Winbond公司的W982516，4M×4BANKS×16BIT，兩片并成32位數(shù)據(jù)總線，突發(fā)讀寫速度可達到300Mbytes/s。 W982516采用了54引腳的TSOP封裝，工作電壓為3.3V，并且采用同步接口方式（所有的信號都是時鐘信號的上升沿觸發(fā)），與系統(tǒng)時鐘同步運行。W982516行地址數(shù)目是13，列地址數(shù)目是9。與各種SDRAM一樣，這種SDRAM具有以下幾個特點：（1）采取行列地址復(fù)用原則，SDRAM的地址線在不同的命令下提供不同的地址，行列地址復(fù)用13根地址線。（2）需要定時刷新。（3）在進行讀寫時，需先激活行。換頁讀寫時要預(yù)充關(guān)閉的行，然后再激活新的行進行讀寫。（4）SDRAM正常工作之前配置模式寄存器。SDRAM具有較多的控制命令，具體命令見表1。 [align=center] 表1 SDRAM命令[/align] 　　解析命令對應(yīng)的Verilog代碼如下： 　　always @（cmd） 　　 begin 　　 case（cmd） 　　 modeset:begin nCS<=1‘b0; nRAS<=1‘b0; nCAS<=1‘b0; nWE<=1‘b0;end 　　 refr: begin nCS<=1‘b0; nRAS<=1‘b0; nCAS<=1‘b0; nWE<=1‘b1;end 　　 prech: begin nCS<=1‘b0; nRAS<=1‘b0; nCAS<=1‘b1; nWE<=1‘b0;end 　　 actv: begin nCS<=1‘b0; nRAS<=1‘b0; nCAS<=1‘b1; nWE<=1‘b1;end 　　 wrt : begin nCS<=1‘b0; nRAS<=1‘b1; nCAS<=1‘b0; nWE<=1‘b0;end 　　 read: begin nCS<=1‘b0; nRAS<=1‘b1; nCAS<=1‘b0; nWE<=1‘b1;end 　　 nop : begin nCS<=1‘b1; nRAS<=1‘b1; nCAS<=1‘b1; nWE<=1‘b1;end 　　 endcase 　　end 3 SDRAM控制器的設(shè)計 　　3.1 系統(tǒng)設(shè)計框圖 [align=center] 圖1 系統(tǒng)設(shè)計框圖[/align] 　　如圖1,兩片W982516并成32位數(shù)據(jù)總線的SDRAM。外部數(shù)據(jù)總線為32位，F(xiàn)IFO1為外部數(shù)據(jù)的一級緩沖，當FIFO1中的數(shù)據(jù)超過512時（SDRAM中一頁的數(shù)據(jù)量），SDRAM控制器將數(shù)據(jù)從FIFO1中讀出寫入W982516暫存，當FIFO2中的數(shù)據(jù)剩余空間大于512時，SDRMA控制器從W982516讀入一頁數(shù)據(jù)寫入FIFO2，硬盤控制器再將FIFO2中的數(shù)據(jù)寫入硬盤。 　　3.2 SDRAM控制器設(shè)計 　　3.2.1 復(fù)位初始化 [align=center] 圖2 SDRAM控制器設(shè)計框圖[/align] 　　如圖2，虛框內(nèi)為初始化進程，SDRAM在上電后200us，由一個初始化操作來配置SDRAM的工作模式。在200us之內(nèi)只能給SDRAM發(fā)NOP命令。初始化過程由啟動以下指令流完成：首先由一個預(yù)充所有BANK指令完成對所有BANK的預(yù)充，然后是八個周期的自動刷新指令，最后在模式配置指令下完成SDRAM內(nèi)部模式設(shè)置寄存器的配置。模式寄存器指定了突發(fā)長度、突發(fā)類型、CAS延時等詳細的信息。為了方便靈活的應(yīng)用，本設(shè)計中將SDRAM模式寄存器設(shè)置為0x027（突發(fā)長度為整頁，CAS Latency為2）。只有成功的完成初始化過程，SDRAM才可以正常工作。 　　3.3.2 刷新計數(shù)模塊 　　SDRAM要求在64ms之內(nèi)對4096行進行刷新，也就是每15.6us刷新一行，由于系統(tǒng)時鐘周期為13ns，所以刷新計數(shù)模塊計數(shù)達到1170，就需要對SDRAM發(fā)出刷新命令。如圖3,刷新計數(shù)模塊計數(shù)到大于等于1170時，比較器輸出上升沿到D觸發(fā)器，D觸發(fā)器輸出高電平發(fā)出刷新請求，SDRAM控制器收到刷新請求后執(zhí)行刷新命令。SDRAM控制器完成刷新命令后發(fā)出刷新應(yīng)答信號將D觸發(fā)器的輸出端清零，同時將刷新計數(shù)器清零并重新計數(shù)。 [align=center] 圖3 刷新模塊[/align] 　　3.3.3 工作過程 　　FPGA完成對SDRAM芯片的初始化后，進入空閑狀態(tài)，然后根據(jù)外部信號做出相應(yīng)的動作，如自動刷新、讀和寫數(shù)據(jù)。如果收到自動刷新請求，則控制器向SDRAM發(fā)出自動刷新命令，自動刷新的優(yōu)先級最高;如果FIFO1中的數(shù)據(jù)超過512個（如圖1），則首先激活要寫的行，然后再將數(shù)據(jù)寫入SDRAM，最后經(jīng)過預(yù)充電關(guān)閉這一行回到空閑狀態(tài)，用一個寄存器記錄SDRAM里有效數(shù)據(jù)的行數(shù)，此時有效數(shù)據(jù)的行數(shù)加1,行地址加1,寫操作的優(yōu)先級第二;如果FIFO2中的剩余空間超過512個并且有效數(shù)據(jù)的行數(shù)大于0時則可執(zhí)行讀操作，同寫操作一樣也需要首先激活要讀的行，然后再將數(shù)據(jù)從SDRAM里讀出寫入到FIFO2，并經(jīng)過預(yù)充電關(guān)閉這一行回到空閑狀態(tài)，同時有效數(shù)據(jù)的行數(shù)減1, 行地址加1,讀操作的優(yōu)先級最低。這樣就設(shè)計成一個64Mbytes的大容量循環(huán)緩沖。狀態(tài)機在空閑時的狀態(tài)轉(zhuǎn)移代碼如下： 　　work_idle: 　　 begin 　　 if（refresh）//收到刷新請求，優(yōu)先級最高 　　 work_state <= work_refresh; 　　 else if（ff_halffull）//FIFO1緩沖半滿，先寫SDRAM 　　 work_state <= work_write; 　　 else if（（wr_counter>0）&ff_halfempt） //FIFO2緩沖半空，讀SDRAM 　　 work_state <= work_read; 　　 else 　　 work_state <= work_idle; 　　 end 4 總結(jié) 　　本設(shè)計已經(jīng)成功運用于某型雷達，可記錄大于40Mbytes/s的實時雷達信號。SDRAM控制器工作穩(wěn)定，從而實現(xiàn)了低成本、大容量、高速度的設(shè)計目標。