HiPak™ 模塊是具工業(yè)標準外殼的高功率IGBT，其外殼有190 x 140mm 流行注釋（見下圖）。最初ABB是為使用鋁硅炭化物（AlSiC）底板材料和低熱阻鋁氮化（AlN） 絕緣的器件而提供的，鋁硅炭化物底板材料常用于如牽引業(yè)中所要求的高熱循環(huán)能力。 這些產(chǎn)品將于2004初生產(chǎn)。 ABB 用運先進的軟沖擊（SPT）芯片技術(shù)開發(fā)生產(chǎn)了HiPak™ 模塊。此技術(shù)將軟轉(zhuǎn)換的低損失與加強安全工作區(qū)（SOA）相結(jié)合。 這些產(chǎn)品做為單向?qū)↖GBT +FW Diode是存在的.